FGH40N60

  • Alta capacidad de corriente
  • Bajo voltaje de saturación: VCE (sat) = 2.3 V @ IC = 40 A
  • Alta impedancia de entrada
  • Cambio rápido
  • RoHS

Quantity: 44

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Descripción

Utilizando la novedosa tecnología IGBT de detención de campo. Los IGBT ofrecen el rendimiento óptimo para el inversor solar, UPS, Soldadora, horno de microondas, aplicaciones de telecomunicaciones, ESS y PFC. Donde las bajas pérdidas de conducción y de conmutación son esenciales.

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